金戈新材推出新品：氮化硼微粉

     大規(guī)模天線(xiàn)陣列和高集成度芯片成了5G設(shè)備的標(biāo)配，為了避免集成電路內(nèi)部信號(hào)延遲、熱量積聚等問(wèn)題，亟須開(kāi)發(fā)以低介電導(dǎo)熱粉體為填料的高導(dǎo)熱界面材料。

     在常見(jiàn)導(dǎo)熱絕緣粉體（AlN、BN、Si₃N₄、Al₂O₃、MgO、SiC、ZnO）中，氮化硼（BN）的介電常數(shù)（在寬頻范圍內(nèi)約為4.0）和介電損耗（1.0×10⁸ Hz時(shí)，介電損耗為2.5×10^-4）均相對(duì)最低，面內(nèi)導(dǎo)熱率高達(dá)180 W/m·K，是制備低介電、高導(dǎo)熱界面材料的理想填料。以下是金戈新材根據(jù)市場(chǎng)需求，推出的不同粒徑和形貌的氮化硼微粉：GD-S10BN、GD-S90BN、GD-S180BN、GD-S25BN。

氮化硼微粉技術(shù)指標(biāo)(非標(biāo)準(zhǔn)值）

產(chǎn)品的粒徑分布均一，品質(zhì)穩(wěn)定，可與其他粒徑、形貌、種類(lèi)的導(dǎo)熱粉體搭配應(yīng)用在高分子材料中，從而獲得高導(dǎo)熱的界面材料，確保5G設(shè)備安全、穩(wěn)定的運(yùn)行。若對(duì)上述產(chǎn)品感興趣，可在下方留言或者致電0757-87572700/87572711。